તબક્કો નિયંત્રણ થાઇરિસ્ટર (એલોયિંગ પ્રકાર)

વર્ણન:

થાઇરિસ્ટર, જેને સિલિકોન કંટ્રોલ રેક્ટિફાયર (એસસીઆર) તરીકે પણ ઓળખવામાં આવે છે, તે એક ઉચ્ચ-શક્તિ સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણ છે જેમાં ત્રણ PN માળખાંનો સમાવેશ થાય છે.કામગીરીની દ્રષ્ટિએ, થાઇરિસ્ટરમાં માત્ર દિશાહીન વાહકતા જ નથી, પરંતુ તે સિલિકોન રેક્ટિફાયર તત્વ કરતાં વધુ મૂલ્યવાન નિયંત્રણક્ષમતા ધરાવે છે, જે વહનની માત્ર બે અવસ્થાઓ અને ઓફ-સ્ટેટ, નાની શક્તિ સાથે મોટી શક્તિને નિયંત્રિત કરવા, સેંકડો સુધી પાવર એમ્પ્લીફિકેશન અથવા હજારો વખતપ્રતિક્રિયા ખૂબ જ ઝડપી છે, માઇક્રો-સેકન્ડમાં ચાલુ અને બંધ થાય છે.બિન-સંપર્ક કામગીરી, કોઈ સ્પાર્ક નથી, કોઈ અવાજ નથી, જ્યારે ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા અને ઓછી કિંમત.તેથી, ખાસ કરીને ઉચ્ચ પાવર સપ્લાય સિસ્ટમમાં, થાઇરિસ્ટરનો ઉપયોગ રેક્ટિફાયર સર્કિટ, સ્ટેટિક બાયપાસ સ્વીચ, સંપર્ક-મુક્ત આઉટપુટ સ્વીચ અને અન્ય સર્કિટમાં વ્યાપકપણે થાય છે.

RUNAU ઈલેક્ટ્રોનિક્સની thyristor ઉત્પાદન પ્રમાણભૂત અને પ્રોસેસિંગ ટેકનોલોજી 1980 ના દાયકાથી યુએસએથી રજૂ કરવામાં આવી હતી, ચીનમાં thyristor ઉત્પાદનના પ્રણેતા તરીકે, RUNAU ની તકનીકી ટીમે 30 વર્ષથી વધુ સમય માટે અદ્યતન જ્ઞાન અને પૂરતો ઉત્પાદન અનુભવ મેળવ્યો હતો.પરંપરાગત ઉત્પાદન પ્રક્રિયાના પાયા પર, RUNAU ઈલેક્ટ્રોનિક્સના પ્રતિભા ટેકનિશિયનોએ યુરોપિયન ઉત્પાદનોના ફાયદા સાથે થાઈરિસ્ટરના ઉત્પાદનમાં આર્ટ-ઓફ-સ્ટેટ ટેક્નોલોજી વિકસાવી હતી, ગુણવત્તા અને કામગીરીમાં ઘણો સુધારો થયો છે, પાવર ઈલેક્ટ્રોનિક્સની એપ્લિકેશનમાં વધુ મોટી જીત પ્રાપ્ત થઈ છે. ક્ષેત્રો, અને ભાગીદારો માટે વધુ મૂલ્ય બનાવવામાં આવ્યું હતું.

પરિચય:

1. ચિપ

RUNAU ઇલેક્ટ્રોનિક્સ દ્વારા ઉત્પાદિત થાઇરિસ્ટર ચિપ એ સિન્ટર્ડ એલોયિંગ ટેક્નોલોજીનો ઉપયોગ કરે છે.ઉચ્ચ શૂન્યાવકાશ અને ઉચ્ચ તાપમાનના વાતાવરણમાં શુદ્ધ એલ્યુમિનિયમ (99.999%) દ્વારા એલોયિંગ માટે સિલિકોન અને મોલિબડેનમ વેફરને સિન્ટર કરવામાં આવ્યું હતું.થાઇરિસ્ટરની ગુણવત્તાને અસર કરતું મુખ્ય પરિબળ સિન્ટરિંગ લાક્ષણિકતાઓનું વહીવટ છે.થાઇરિસ્ટરની વિશ્વસનીય અને ઉચ્ચ કાર્યક્ષમ વહન કામગીરીને સક્ષમ કરવા માટે એલોય જંકશનની ઊંડાઈ, સપાટીની સપાટતા, એલોય પોલાણ તેમજ સંપૂર્ણ પ્રસરણ કૌશલ્ય, કેન્દ્ર દ્વાર, રિંગ સર્કલ પેટર્નનું સંચાલન કરવા ઉપરાંત RUNAU ઇલેક્ટ્રોનિક્સની જાણકારી કેવી રીતે લાગુ કરવામાં આવી હતી. ઉચ્ચ ગુણવત્તાની કામગીરીની ખાતરી કરો.

2. એન્કેપ્સ્યુલેશન

મોલીબડેનમ વેફર અને બાહ્ય પેકેજની સપાટતા અને સમાનતાના કડક નિયંત્રણ દ્વારા, ચિપ અને મોલીબડેનમ વેફરને બાહ્ય પેકેજ સાથે ચુસ્ત અને સંપૂર્ણ રીતે સંકલિત કરવામાં આવશે.આવા ઉછાળા પ્રવાહ અને ઉચ્ચ શોર્ટ સર્કિટ પ્રવાહના પ્રતિકારને શ્રેષ્ઠ બનાવશે.અને સિલિકોન વેફર સપાટી પર જાડી એલ્યુમિનિયમ ફિલ્મ બનાવવા માટે ઇલેક્ટ્રોન બાષ્પીભવન તકનીકના માપનનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો હતો, અને મોલિબડેનમ સપાટી પર રુથેનિયમ સ્તર થર્મલ થાક પ્રતિકારને મોટા પ્રમાણમાં વધારશે, થાઇરિસ્ટરનો કાર્ય જીવન સમય નોંધપાત્ર રીતે વધશે.

ટેકનિકલ સ્પષ્ટીકરણ

1. RUNAU ઇલેક્ટ્રોનિક્સ દ્વારા ઉત્પાદિત એલોય ટાઇપ ચિપ સાથે ફેઝ નિયંત્રિત થાઇરિસ્ટર, શ્રેણી I_{ટીએવી}300A થી 6000A અને વી_{ડીઆરએમ}/V_{આરઆરએમ}800V થી 4400V સુધી.
2. I_GT, વી_GTઅને હું_H25℃ પર પરીક્ષણ મૂલ્યો છે, સિવાય કે અન્યથા જણાવ્યું ન હોય, અન્ય તમામ પરિમાણો T હેઠળ પરીક્ષણ મૂલ્યો છે_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= સિનુસોઇડલ હાફ વેવ વર્તમાન પાયાની પહોળાઈ.50Hz પર, આઇ²t=0.005I²FSM(A²એસ);
4. 60Hz પર: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;આઈ²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

પરિમાણ: