ચીનચાઈનીઝ
English
હાઇ પાવર ફ્રી ફ્લોટિંગ ફેઝ કંટ્રોલ થાઇરિસ્ટર ફીચર્ડ ઇમેજ
  • હાઇ પાવર ફ્રી ફ્લોટિંગ ફેઝ કંટ્રોલ થાઇરિસ્ટર
  • હાઇ પાવર ફ્રી ફ્લોટિંગ ફેઝ કંટ્રોલ થાઇરિસ્ટર
  • હાઇ પાવર ફ્રી ફ્લોટિંગ ફેઝ કંટ્રોલ થાઇરિસ્ટર
  • હાઇ પાવર ફ્રી ફ્લોટિંગ ફેઝ કંટ્રોલ થાઇરિસ્ટર
  • હાઇ પાવર ફ્રી ફ્લોટિંગ ફેઝ કંટ્રોલ થાઇરિસ્ટર

હાઇ પાવર ફ્રી ફ્લોટિંગ ફેઝ કંટ્રોલ થાઇરિસ્ટર

ટૂંકું વર્ણન:


PDF તરીકે ડાઉનલોડ કરો

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

તબક્કો નિયંત્રણ થાઇરિસ્ટર (ફ્રી ફ્લોટિંગ પ્રકાર)

વર્ણન:

કન્વર્ટર સાધનોની વધતી શક્તિ અને ક્ષમતાના વિકાસ સાથે, ખાસ કરીને એચવીડીસી ટ્રાન્સમિશન, યુનિટ થાઇરિસ્ટરની આઉટપુટ પાવર ક્ષમતાને તે મુજબ વધારવા માટે વિનંતી કરવામાં આવે છે, જેનાથી શ્રેણી અને સમાંતર કનેક્શન સર્કિટમાં થાઇરિસ્ટરના ઇન્સ્ટોલેશનની માત્રામાં ઘટાડો થશે.ઉપકરણનું કદ અને વજન ઘટાડવામાં આવશે, ઓછું રોકાણ, વર્તમાન અને વોલ્ટેજ પણ સરળતાથી પ્રાપ્ત થશે, વિશ્વસનીય કામગીરી અને વ્યવસાયિક મૂલ્ય નોંધપાત્ર રીતે વધશે.

હાઇ પાવર હાઇ કરંટ થાઇરિસ્ટર બનાવવા માટે કાર્યરત ફ્રી ફ્લોટિંગ સિલિકોન ટેક્નોલોજી ઉચ્ચ પ્રમાણભૂત એપ્લિકેશન જરૂરિયાતને સંતોષશે.અને જુલાઈ 2019માં, RUNAU Electronics એ 5” ચિપ સાથે 5200V thyristor સફળતાપૂર્વક વિકસાવ્યું હતું અને ચાઇના HVDC પ્રોજેક્ટમાં અરજી કરનારા ગ્રાહકને સપ્લાય કર્યું હતું.

પરિચય:

1. ચિપ

RUNAU ઇલેક્ટ્રોનિક્સ દ્વારા ઉત્પાદિત ઉચ્ચ પ્રમાણભૂત થાઇરિસ્ટર ચિપ ફ્રી ફ્લોટિંગ ટેક્નોલોજી લાગુ કરવામાં આવે છે.હાઇ પાવર હાઇ વોલ્ટેજ થાઇરિસ્ટરના ઉત્પાદન માટે તે નવીનતમ અને પરિપક્વ તકનીક તરીકે સારી રીતે સ્વીકૃત છે.તે મોટા ભાગના વિશ્વ વર્ગના ઉત્પાદકો દ્વારા વ્યાપકપણે લાગુ પડે છે.

વોલ્ટેજ રેઝિસ્ટન્સ વધારવા, ઓન-સ્ટેટ વોલ્ટેજ ડ્રોપ ઘટાડવા અને ટ્રિગર અને ડાયનેમિક લાક્ષણિકતાઓને સુધારવા માટે ડિફ્યુઝન પ્રક્રિયાને ઘનતા અને પહોળાઈમાં ઑપ્ટિમાઇઝ કરવામાં આવી હતી.નવી ફોટોલિથોગ્રાફી પેટર્ન di/dt અને dv/dt સુવિધાને વધારવા માટે ડિઝાઇન કરવામાં આવી હતી.સિલિકોન વેફર અને કેથોડ સપાટીની ધારને સુરક્ષિત રાખવા માટે ચિપનું સંપર્ક માળખું પુનઃનિર્માણ કરવામાં આવ્યું હતું, રિવર્સ વોલ્ટેજ કામગીરીમાં ઘણો સુધારો થશે.

2. એન્કેપ્સ્યુલેશન

ફ્રી ફ્લોટિંગ સિલિકોન ટેક્નોલોજીનો ફાયદો એ છે કે સિલિકોન અને મોલિબ્ડેનમ વેફર વચ્ચેનું વિકૃતિ મોટા પ્રમાણમાં નિયંત્રિત થાય છે અને મોલિબ્ડેનમ વેફરનો વપરાશ ઓછો થાય છે.જ્યારે સિલિકોન વેફરની સપાટતા અને પેકેજના કોપર બ્લોકની ખૂબ જ આવશ્યકતા છે તેમજ સમાનતા અને ખરબચડી જરૂરિયાત એલોયિંગ ચિપ ટેકનોલોજી કરતાં વધુ છે.સતત સુધારણા અને નવીનતા દ્વારા, RUNAU ઇલેક્ટ્રોનિકે તમામ તકનીકી મુશ્કેલીઓ અને અવરોધોને દૂર કર્યા છે.ફ્રી ફ્લોટિંગ ટેક્નોલોજી, વિશ્વસનીય કામગીરી અને વ્યાવસાયિક કાર્યક્ષમ સોલ્યુશન સાથે હાઇ પાવર હાઇ વોલ્ટેજ થાઇરિસ્ટર વિકસાવવામાં આવી હતી અને ગ્રાહકોને પ્રદાન કરવામાં આવી હતી.તેમાંના મોટા ભાગના હાઇ પાવર કન્ટ્રોલેબલ રેક્ટિફાયર, હાઇ વોલ્ટેજ સોફ્ટ સ્ટાર્ટર, એચવીડીસી પાવર ટ્રાન્સમિશન, લોકોમોટિવ ટ્રેક્શન, ડાયનેમિક રિએક્ટિવ પાવર કમ્પેન્સેશન અને પલ્સ પાવર એપ્લિકેશન સિસ્ટમમાં ઇન્સ્ટોલ કરેલા છે.

ટેકનિકલ સ્પષ્ટીકરણ

  1. RUNAU ઇલેક્ટ્રોનિક્સ દ્વારા ઉત્પાદિત એલોય ટાઇપ ચિપ સાથે ફેઝ નિયંત્રિત થાઇરિસ્ટર, શ્રેણી Iટીએવી350A થી 5580A અને વીડીઆરએમ/Vઆરઆરએમ3400V થી 8500V સુધી.
  2. IGT, વીGTઅને હુંH25℃ પર પરીક્ષણ મૂલ્યો છે, સિવાય કે અન્યથા જણાવ્યું ન હોય, અન્ય તમામ પરિમાણો T હેઠળ પરીક્ષણ મૂલ્યો છેjm;
  3. I2t=I2F SM×tw/2, tw= સિનુસોઇડલ હાફ વેવ વર્તમાન પાયાની પહોળાઈ.50Hz પર, આઇ2t=0.005I2FSM(A2એસ);
  4. 60Hz પર: IFSM(8.3ms)=IFSM(10ms)×1.066,Tj=Tj;આઈ2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm

પરિમાણ:

TYPE IT(AV)
A		 TC
℃		 Vડીઆરએમ/Vઆરઆરએમ
V		 ITSM
@Tવીજેઆઈએમ&10msA		 I2t
A2s		 VTM
@IT&TJ=25℃
વી/એ		 Tjm
℃		 Rjc
℃/W		 Rસી.એસ
℃/W		 F
KN		 m
Kg		 કોડ
4200V સુધીનો વોલ્ટેજ
KP3170-** 3170 70 3400~4200 52000 1.3x107 1.40 3000 125 0.008 0.002 70 1.45 T15C
KP4310-** 4310 70 3400~4200 60000 1.8x107 1.30 3000 125 0.006 0.002 90 2.90 T17D
KP5580-** 5580 70 3400~4200 90000 4.0x107 1.40 5000 125 0.004 0.001 120 3.60 T18D
5200V સુધીનો વોલ્ટેજ
KP970-** 970 70 4400~5200 13500 છે 9.1x105 2.70 2000 125 0.022 0.005 22 0.60 T8C
KP2080-** 2080 70 4400~5200 29200 છે 4.2x106 1.60 2000 125 0.010 0.003 60 1.10 T13C
KP2780-** 2780 70 4400~5200 42000 છે 8.8x106 1.70 3000 125 0.008 0.002 70 1.45 T15C
KP3910-** 3910 65 4400~5200 55000 1.5x107 1.50 3000 125 0.006 0.002 90 2.90 T17D
KP4750-** 4750 70 4400~5200 8700 છે 3.7x107 1.50 5000 110 0.004 0.001 120 3.60 T18D
વોલ્ટેજ 6600V સુધી
KP350-** 350 70 5800~6600 4500 1.0x105 2.20 500 125 0.039 0.008 10 0.33 T5C
KP730-** 730 70 5800~6600 11800 છે 6.9x105 2.20 1000 125 0.022 0.005 22 0.60 T8C
KP1420-** 1420 70 5800~6600 22400 છે 2.5x106 2.10 1500 125 0.010 0.003 60 1.10 T13C
KP1800-** 1800 70 5400~6600 32000 છે 5.1x106 1.90 1600 125 0.008 0.002 70 1.45 T15C
KP2810-** 2810 70 5800~6600 45000 1.0x107 2.00 3000 125 0.006 0.002 90 2.90 T17D
KP4250-** 4250 70 5800~6600 71400 છે 2.5x107 1.70 3000 110 0.004 0.001 120 3.60 T18D
7200V સુધીનો વોલ્ટેજ
KP300-** 300 70 6800~7200 3400 5.8x104 2.40 500 115 0.039 0.008 10 0.40 T5D
KP640-** 640 70 6800~7200 9000 4.0x105 2.30 1000 115 0.022 0.005 22 0.65 T8D
KP1150-** 1150 70 6800~7200 18300 છે 1.6x106 2.40 1500 115 0.010 0.003 60 1.30 T13D
KP1510-** 1510 70 6800~7200 26000 3.3x106 2.00 1600 115 0.008 0.002 70 1.85 T15D
KP2640-** 2640 70 6800~7200 40000 8.0x106 1.50 1500 115 0.006 0.002 90 2.90 T17D
8500V સુધીનો વોલ્ટેજ
KP270-** 270 70 7400~8500 2900 છે 4.2x104 2.80 500 115 0.045 0.008 10 0.40 T5D
KP580-** 580 70 7400~8500 6000 1.8x105 2.60 1000 115 0.022 0.005 22 0.65 T8D
KP1080-** 1080 70 7400~8500 11300 છે 6.3x105 2.80 1500 115 0.010 0.003 60 1.30 T13D
KP1480-** 1480 70 7400~8500 17000 1.4x106 2.10 1600 115 0.009 0.002 70 1.85 T15D
  • અગાઉના:
  • આગળ:
    • તમારો સંદેશ અહીં લખો અને અમને મોકલો
    શોધવા માટે એન્ટર દબાવો અથવા બંધ કરવા માટે ESC દબાવો