ફાસ્ટ સ્વિચ થાઇરિસ્ટર

વર્ણન:

તબક્કો નિયંત્રણ થાઇરિસ્ટરની સમાન રચના અને પ્રતીક સાથે ઝડપી સ્વિચ થાઇરિસ્ટર, જ્યારે સુધારણા, ચોપિંગ, ઇન્વર્ટર અને ફ્રીક્વન્સી કન્વર્ઝન સર્કિટની ઉચ્ચ આવર્તન એપ્લિકેશન દ્વારા વધુ સારી સ્થિર લાક્ષણિકતાઓ, ખાસ કરીને ગતિશીલ લાક્ષણિકતાઓ જરૂરી છે.ઝડપી થાઇરિસ્ટરના ગતિશીલ પરિમાણો ઝડપી ટર્ન-ઓન સ્પીડ અને ટર્ન-ઓન વિસ્તરણ સ્પીડ, ઓછો રિવર્સ રિકવરી ચાર્જ, અને ટૂંકા ટર્ન-ઓફ સમય, ઓન-સ્ટેટ કરંટ (ડી/ડીટી)નો ઉચ્ચ ક્રિટિકલ વધારો દર અને ક્રિટિકલ રેટ છે. ઑફ-સ્ટેટ વોલ્ટેજમાં વધારો (dv/dt).રેટેડ ફ્રીક્વન્સીમાં ફાસ્ટ થાઇરિસ્ટરનો રેટ કરેલ પ્રવાહ જ્યારે આવર્તન વધતી જાય ત્યારે ઘટતો નથી અથવા થોડો ઓછો થતો નથી.

RUNAU ઈલેક્ટ્રોનિક્સની ફાસ્ટ સ્વિચ થાઈરિસ્ટર મેન્યુફેક્ચરિંગ સ્ટાન્ડર્ડ અને પ્રોસેસિંગ ટેક્નોલોજી 1980 ના દાયકાથી યુએસએથી રજૂ કરવામાં આવી હતી, ચીનમાં થાઈરિસ્ટરના ઉત્પાદનના અગ્રણી તરીકે, RUNAU ની તકનીકી ટીમે 30 વર્ષથી વધુ સમય માટે અદ્યતન જ્ઞાન અને પૂરતો ઉત્પાદન અનુભવ મેળવ્યો હતો.પરંપરાગત ઉત્પાદન પ્રક્રિયાના પાયા પર, RUNAU ઈલેક્ટ્રોનિક્સના પ્રતિભા ટેકનિશિયનોએ યુરોપીયન ઉત્પાદનોના ફાયદા સાથે થાઈરિસ્ટરના ઉત્પાદનમાં આર્ટ-ઓફ-સ્ટેટ ટેક્નોલોજી વિકસાવી હતી, ગુણવત્તા અને પ્રદર્શનમાં ઘણો સુધારો થયો છે, પાવર ઈલેક્ટ્રોનિક્સ એપ્લિકેશન્સમાં વધુ મોટી જીત હાંસલ કરી છે, અને ભાગીદારો માટે વધુ મૂલ્ય બનાવવામાં આવ્યું હતું.

પરિચય:

1. ચિપ

RUNAU ઇલેક્ટ્રોનિક્સ દ્વારા ઉત્પાદિત થાઇરિસ્ટર ચિપ એ સિન્ટર્ડ એલોયિંગ ટેક્નોલોજીનો ઉપયોગ કરે છે.ઉચ્ચ શૂન્યાવકાશ અને ઉચ્ચ તાપમાનના વાતાવરણમાં શુદ્ધ એલ્યુમિનિયમ (99.999%) દ્વારા એલોયિંગ માટે સિલિકોન અને મોલિબડેનમ વેફરને સિન્ટર કરવામાં આવ્યું હતું.થાઇરિસ્ટરની ગુણવત્તાને અસર કરતું મુખ્ય પરિબળ સિન્ટરિંગ લાક્ષણિકતાઓનું વહીવટ છે.એલોય જંકશન ડેપ્થ, સરફેસ ફ્લેટનેસ, એલોય કેવિટી તેમજ ફુલ ડિફ્યુઝન સ્કીલ, રીંગ સર્કલ પેટર્ન, સ્પેશિયલ ગેટ સ્ટ્રક્ચરનું સંચાલન કરવા ઉપરાંત RUNAU ઈલેક્ટ્રોનિક્સની જાણકારી.ઉપકરણના વાહક જીવનને ઘટાડવા માટે વિશેષ પ્રક્રિયાનો પણ ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો હતો, જેથી આંતરિક વાહક પુનઃસંયોજન ગતિને ખૂબ ઝડપી બનાવવામાં આવે છે, ઉપકરણનો રિવર્સ રિકવરી ચાર્જ ઓછો થાય છે, અને સ્વિચિંગની ગતિમાં પરિણામે સુધારો થાય છે.આવા માપ ઝડપી સ્વિચિંગ લાક્ષણિકતાઓ, ઓન-સ્ટેટ લાક્ષણિકતાઓ અને વર્તમાન મિલકતને ઑપ્ટિમાઇઝ કરવા માટે લાગુ કરવામાં આવ્યા હતા.થાઇરિસ્ટરની કામગીરી અને વહન કામગીરી વિશ્વસનીય અને કાર્યક્ષમ છે.

2. એન્કેપ્સ્યુલેશન

મોલીબડેનમ વેફર અને બાહ્ય પેકેજની સપાટતા અને સમાનતાના કડક નિયંત્રણ દ્વારા, ચિપ અને મોલીબડેનમ વેફરને બાહ્ય પેકેજ સાથે ચુસ્ત અને સંપૂર્ણ રીતે સંકલિત કરવામાં આવશે.આવા ઉછાળા પ્રવાહ અને ઉચ્ચ શોર્ટ સર્કિટ પ્રવાહના પ્રતિકારને શ્રેષ્ઠ બનાવશે.અને સિલિકોન વેફર સપાટી પર જાડી એલ્યુમિનિયમ ફિલ્મ બનાવવા માટે ઈલેક્ટ્રોન બાષ્પીભવન ટેકનોલોજીના માપનનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો હતો, અને મોલિબડેનમ સપાટી પર રુથેનિયમ લેયર થર્મલ થાક પ્રતિકારને મોટા પ્રમાણમાં વધારશે, ફાસ્ટ સ્વિચ થાઈરિસ્ટરનો કાર્ય જીવન સમય નોંધપાત્ર રીતે વધશે.

ટેકનિકલ સ્પષ્ટીકરણ

1. RUNAU ઇલેક્ટ્રોનિક્સ દ્વારા ઉત્પાદિત એલોય ટાઇપ ચિપ સાથે ફાસ્ટ સ્વિચ થાઇરિસ્ટર, શ્રેણી I_{ટીએવી}200A થી 4000A અને V_{ડીઆરએમ}/V_{આરઆરએમ}1200V થી 4500V સુધી.
2. I_GT, વી_GTઅને હું_H25℃ પર પરીક્ષણ મૂલ્યો છે, સિવાય કે અન્યથા જણાવ્યું ન હોય, અન્ય તમામ પરિમાણો T હેઠળ પરીક્ષણ મૂલ્યો છે_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= સિનુસોઇડલ હાફ વેવ વર્તમાન પાયાની પહોળાઈ.50Hz પર, આઇ²t=0.005I²FSM(A²એસ);
4. 60Hz પર: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;આઈ²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

પરિમાણ: